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美光第四代3D NAND芯片出样,高达128层

发布时间:2019-10-06

来源:本站整理

美光第四代3D NAND芯片出样,高达128层

10月5日《信息技术屋新闻》日前,美光宣布第一批第四代3D NAND内存芯片拖缆已经采样,全新的第四代3D NAND基于美光的RG架构。预计美光的第四代3D与非门闪存将于2020年上市。然而,美光警告说,使用新架构的内存芯片将只用于特定的应用,因此明年其3D与非门的成本降低将是最小的。

美光的第四代3D与非门有128层,CMOS继续用于阵列设计方法。美光的第四代3D与非门改变了栅极替换的浮栅技术,可以减小尺寸和成本,提高性能。这项技术完全由美光开发,没有英特尔的参与。

美光目前正在增加96层3D与非门的产量,并将于明年开始大量使用。128层3D与非门硬件不会立即导致每比特成本的显著降低,但会随着时间的推移而降低。后续工艺节点也可能至少有128层,如果广泛使用,将大大降低产品的每比特成本。

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